窒化アルミ（AlN）セラミックス基板
窒化アルミ（AIN）セラミックス
古河電子の焼成技術により作製したブロックよりスライスした基板をご提供しています。
高い放熱性と、電気絶縁性の両方を実現できる窒化アルミ（AlN）セラミックス基板は、絶縁しながら熱を逃がす役割として、5G時代のパワー半導体や光通信レーザー用の放熱基板として使用されています。
さらに汎用グレードのFAN-170より高熱伝導率のFAN-200やFAN-230により、より放熱の必要な電子デバイス放熱基板として高いご評価を得ております。
ブロックのスライスにより製造しているため大面積や1mmt以上の厚物、小ロットのお引き合いにも対応。面粗さもRa=1μmから鏡面まで対応可能です。
FAN-230よりさらに高熱伝導率品の開発も進めており、引き続き高品質品基板をご提供してまいります。
特性（代表値）
| 項目 | Grade | |||
| FAN-170 | FAN-200 | FAN-230 | ||
| 熱伝導率 | W/m・K（RT） | 170 | 200 | 230 |
| 熱放射率 | （100℃） | 0.93 | ||
| 熱膨張係数 | 10-6/℃（RT～400℃） | 4.5 | ||
| 絶縁抵抗 | Ω・cm（RT） | ＞1013 | ||
| 絶縁耐圧 | kV/mm（RT） | 15 | ||
| 誘電率 | （1MHz） | 8.8 | ||
| 誘電損失 | 10-4（1MHz） | 5 | ||
| 曲げ強度 | MPa | 350 | ||
| 密度 | g/cm3 | 3.3 | ||
| Y（イットリウム） | wt% | 3.4 | ||
仕様
| 外形寸法 | 最大200mm□ |
| 板厚寸法 | 0.15～1mmt以上 |
| 表面粗度 | Ra≦0.8μm～鏡面加工 |
| レーザー加工・メタライズ | 適宜対応可 |