窒化アルミセラミックス
基板
半導体装置用部品
半導体製造装置(前工程用)は、デザインルール微細化(0.18μm以下)とウェーハ大口径化(Φ300mm以上)への対応が求められています。 それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。 窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導性・熱放射性(放熱)、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、Siウェーハに マッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。

半導体製造装置(前工程用)は、デザインルール微細化(0.18μm以下)とウェーハ大口径化(Φ300mm以上)への対応が求められています。 それには、装置を構成する部品の材料の選定が極めて重要となります。 窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導性・熱放射性(放熱)、耐熱衝撃性、電気絶縁性に優れ、Siウェーハに マッチした熱膨張をもつ、特性のバランスの良い材料です。